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BCR 198S E6327 /Infineon Technologies/分立半导体产品
BCR 198S E6327的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:BCR198

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47k

电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47k

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):-

频率 - 跃迁:190MHz

功率 - 最大值:250mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装:PG-SOT363-6

工具箱:KITAFTRANS.5IN-ND - KIT SAMPLE DGTL DL TRANS 100MA

其它名称:BCR198SE6327BTSA1BCR198SE6327XTSP000010822

供应商BCR 198S E6327
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